氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)凭借着高电子迁移率、低导通电阻和高击穿场强等优点,在高频器件和大功率开关器件等领域得到了广泛运用。但经时击穿会导致在正常工作电压范围内的器件发生失效,因此GaN器件的经时击穿成为了评估器件可靠性的关键因素。介绍了GaNHEMT经时击穿的现象及偏压依赖性,总结了经时击穿的物理机制,讨论和展望了场板、钝化层以及栅极边缘终端结构对提升器件的经时击穿可靠性的作用。

高压MnO₂钽电容器燃烧的失效模式给高稳定、高可靠电子电路安全使用带来很大的隐患,介质氧化膜的晶化和其中的氧空位跃迁是导致漏电流增长的主要因素。涂覆绝缘树脂阻挡层在电介质表面,既可屏蔽表面晶化点,提高界面的势垒,又能降低电介质在被覆MnO₂过程中的劣化。通过2倍额定电压和125℃环境条件V-I和T-I特性测试,揭示了温度和电压对极端条件下漏电流的作用机理,调整漏电流动力学公式中的欧姆和Poole-Frenkel电导率,高压MnO₂钽电容器的正向V-I特性曲线与理论较好地吻合。该技术方法为高压MnO₂型钽电容器在严酷环境中的安全使用提供支撑。