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GaN HEMT经时击穿可靠性的研究进展

发布于2020-12-5
来源电子元件与材料, 2020, 39(12): 1-7. DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2020.0523.
作者孙梓轩, 蔡小龙, 杜成林, 段向阳, 陆海.
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