贱金属多层陶瓷电容器(BMEMLCC)是电子产品中使用量极大的电子元件,其向小型化、宽温区、高比容方向发展时,陶瓷-金属界面存在热失配、化学兼容性差、界面结合强度低等问题。以BMEMLCC陶瓷-金属界面行为作为研究对象,通过高加速寿命试验模拟应用环境对BMEMLCC的影响,采用透射电子显微镜(TEM)、能谱分析(EDS)、X射线光电子能谱(XPS)对高加速寿命试验前后的BMEMLCC样品进行微观表征,研究了温度应力和电应力对BMEMLCC陶瓷-金属界面行为的影响。结果表明,高加速寿命试验后,陶瓷-金属界面晶格畸变程度增大了5.93%,陶瓷介质O_V/O_L值增长了68.71%。温度应力和电应力会加速BMEMLCC陶瓷-金属界面处元素的扩散,并导致陶瓷介质氧空位增多、钙钛矿结构晶格畸变程度加剧。

随着探测技术的不断发展,单一频段的隐身手段已经难以满足现代战场对隐身技术的实际需求。采用共沉淀法制备了掺杂半导体ITO包覆的SmBO₃复合粉体,旨在开发具有激光和雷达兼容隐身功能的新型材料。通过XRD、SEM、元素分布Mapping和XPS等表征手段,确认了SmBO₃@ITO核壳结构的成功构建。激光性能测试表明,包覆粉体的反射率最低为42.9%。进一步的电磁参数测试与计算显示,在2mm厚度条件下,于13.5GHz频段处得到最低反射损耗(RL)约为-11.1dB,有效吸波带宽(EAB)为1.5GHz。这项工作将为激光和雷达兼容的隐身技术提供新的材料选择和研究方向。

随着电力电子领域对高储能性能介电电容器的需求日益增长,以及人们环保意识的不断提高,用于介电电容器的无铅钙钛矿陶瓷的研究与制造面临着重大挑战。近年来,高熵策略作为一种新的设计思路,被广泛应用于提升无铅钙钛矿陶瓷的储能性能。围绕高熵策略在提高无铅钙钛矿陶瓷储能性能中的应用,首先介绍了评估其储能性能的关键参数,如储能密度、储能效率和可靠性。接着,探讨了影响这些参数的主要因素,包括介电常数、击穿强度和极化,并分析了这些因素与无铅钙钛矿陶瓷微观结构及高熵策略之间的关联。最后,从微观结构和设计思路的角度,综述了近五年来通过高熵策略设计的一系列无铅高熵钙钛矿陶瓷的研究进展。