在集成电路制造中,双大马士革技术已经被广泛应用于铜互连工艺中,其中采用了化学机械抛光(CMP)技术去除在布线时电镀阶段形成的多余铜,为下面的多层金属化结构提供一个平坦的表面。CMP将化学作用和机械作用相结合,是获得晶圆局部和全局平坦化的**可靠技术。抛光液作为CMP工艺中最重要的耗材之一,其性能的好坏直接决定晶圆的抛光效果和良品率。本文回顾了近年来国内外开发的各种新型铜抛光液,归纳总结表明铜抛光液正在朝着弱碱性、绿色环保、一剂多用和复配协同作用的方向发展。此外,展望了铜抛光液未来的重点研究方向。

织构技术是改善压电陶瓷性能的方法之一。采用模板籽晶生长法制备了不同Nb含量的(Na0.5Bi0.5)0.93Ba0.07Ti1-xNbxO3(NBBT-xNb,x=0,0.015,0.020,0.025,0.030)织构陶瓷,系统研究了Nb含量对铁电、介电及电致应变性能的影响。结果表明,采用模板籽晶生长法能够制备出物相纯净的NBBT-xNb织构陶瓷,且陶瓷的织构度随着Nb含量增加先降低后略有增加。室温下,在x=0时电致应变达到了0.249%,与非织构样品相比提高了60%~80%。在x=0.015时室温电致应变值达到了**值0.325%,并且Nb的掺入显著提高了NBBT织构陶瓷的热稳定性。此外,首次在NBT基织构陶瓷中观测到了新的介电异常现象。这些研究结果将有助于NBT基陶瓷的进一步研究。