二维材料g-ZnO在光催化领域受到广泛关注,但由于宽带隙和电子空穴对复合的缺点,在光催化应用领域受到限制,如何提高g-ZnO的光催化性成为非常具有研究价值的问题,搭建g-ZnO基异质结是一种有效的解决办法。采用GGA+U方法,研究了g-ZnO和g-ZnO/X异质结的稳定性、电子结构及光学性质。结果表明:与g-ZnO相比,异质结体系带隙均减小,内部电子转移产生内置电场,解决了g-ZnO宽带隙和电子空穴对复合的问题。异质结体系均表现出明显的红移现象,其吸收带边拓展至可见光区域,说明异质结提高g-ZnO对可见光的吸收能力,其中g-ZnO/WS₂异质结的结合能最低且带隙最小,同时光学性质分析证明该异质结体系在可见光区域的红移程度最明显、吸收率峰值最高、静介电常数最大,以上结果证明g-ZnO/WS2异质结的电子结构和光学性质表现最好,可推测该异质结将最有利于提高g-ZnO光催化活性,为其在光催化领域的应用提供新方向。

为了提高钴互连集成电路钴膜化学机械平坦化(CMP)中钴的去除速率以及Co/TiN去除速率选择性,研究了氨基三甲叉膦酸(ATMP)作为络合剂,在钴互连集成电路钴膜CMP中的作用机理。通过CMP、电化学、X射线电子光谱等实验探究了ATMP的络合性能,采用X射线电子光谱以及密度泛函理论的建模仿真对ATMP在抛光液中的络合机理进行了深入分析。实验结果表明:ATMP的添加不同程度地加快了钴和氮化钛腐蚀,可以有效地提高钴互连集成电路钴膜CMP的去除速率以及Co/TiN去除速率选择性;X射线电子光谱实验显示ATMP的络合作用可以降低钴表面氧化层的厚度;根据密度泛函理论计算结果可以发现,ATMP中的磷酸基团为活性位点,与晶圆表面金属离子形成络合物,从而实现快速去除。可见ATMP可以作为络合剂应用于钴布线钴膜CMP制程。