金刚石薄膜半导体材料的禁带宽度大、载流子迁移率高、击穿场强高、介电常数小、热导率高且对可见光透明,显示出优异的电学、热学、力学和光学特性,利用金刚石薄膜制作的传感探测装置具有信噪比高、响应时间快、抗辐照能力强、工作温度范围宽、器件尺寸小等优点,可替代硅探测器应用于极端环境下的探测活动。综述了金刚石薄膜传感探测器对气体(如O₂、H₂、CO、NH₃、H₂S等)、高能粒子(如质子、中子、α粒子等)、高能射线(如X射线、γ射线等)、紫外线和磁场等进行探测的应用研究现状。最后,指出了金刚石薄膜传感探测器在产业化中存在的问题,并对其未来发展趋势与方向进行了展望。

针对共轭聚合物薄膜分子有序性差、结晶度低的难题,开发了激光定向退火技术,通过调节退火参数,提高了聚合物薄膜结晶度,优化了有机分子排列取向。首先通过旋涂工艺在SiO₂/Si衬底上制备了共轭聚合物聚(3-己基噻吩)(P3HT)薄膜。其次采用激光定向退火技术,通过调节激光功率和激光扫描速率,实现了高度有序的P3HT薄膜制备。最后,通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜表面微观组织形貌进行了表征。结果表明当激光功率为5W,扫描速率为0.1mm/s时,可得到最优结晶取向的P3HT薄膜。以此高度排列有序的P3HT薄膜为有源层,制备了底栅顶接触有机薄膜晶体管(OTFT),器件载流子迁移率可达1.8×10^-3cm²·V^-1·s^-1相较于传统热退火器件提升了一个数量级以上。所开发的激光定向退火技术有利于低成本、高性能有机半导体器件的发展。