电子设备和通信技术的普及在给人们生产生活带来便利的同时,不可避免地也会引起电磁干扰问题。电磁干扰不仅危害人体健康,还对高精密的电子设备及信息安全造成威胁。电磁屏蔽材料是电磁防护的主要途径,优良的材料结构设计和完善的导电网络结构可使电磁屏蔽材料获得高屏蔽效能。目前,基于非对称的结构设计是制备以吸收损耗为主高屏蔽效能电磁屏蔽材料的有效方法。本文对现阶段国内外具有高屏蔽效能的非对称结构电磁屏蔽材料的结构设计、分类特点、研究现状及应用效果进行了系统的综述,尤其对高吸收、低反射电磁屏蔽材料的非对称结构研究进展进行了重点论述,并对该领域未来的发展作出了展望。

设计了一种能快速升压的片上电荷泵电路。当电荷泵用于为EEPROM存储单元提供擦除及写入操作需要的高压时,其升压速度是重要的设计指标之一。研究发现,使用NPN晶体管代替传统Dickson电荷泵中的NMOS管组成升压链路后,能够提高电荷泵的升压速度和输出电压,且NPN晶体管能够用三阱CMOS工艺制作,不需要更复杂的BiCMOS工艺。基于0.18μm三阱CMOS工艺设计了电荷泵系统,包括时钟产生电路和12级采用NPN晶体管的Dickson电荷泵,其中时钟产生电路产生的两相不交叠时钟用于驱动电荷泵,避免电荷在泵电容间反向流通,同时增加预充管进一步提高升压速度。仿真结果显示,在5V电源电压下,电荷泵的输出电压仅需2.06μs就能达到16V,比传统的12级Dickson电荷泵快了2.51μs,实现了快速升压的目的。