移动端官网
微信公众号

具有阶梯掺杂缓冲层的双栅超结LDMOS

发布于2024-5-5
来源电子元件与材料, 2024, 43(5): 505-512. DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2024.1562
作者唐盼盼, 张峻铭, 南敬昌.
浏览量123
Copyright © 2025 Electronic Components and Materials All Rights Reserved.
电话:028-84391569 邮箱:journalecm@163.com 地址:成都市一环路东一段159号电子信息产业大厦1101室 邮编:610051
版权所有:电子元件与材料杂志社技术支持:网站建设仕航软件 备案号:蜀ICP备09019272号-1/68_4.50
移动端官网
微信公众号