逆导型绝缘栅双极型晶体管(RC-IGBT)以其良好的软关断特性、短路特性以及良好的功率循环特性等优点,成为现在半导体功率器件技术领域研究的热点。RC-IGBT在拥有众多优点的同时,最典型的问题就是电压回跳现象,如何抑制或消除器件开启初期固有的回跳现象是RC-IGBT器件领域的技术关键。通过对RC-IGBT领域的国内外专利申请进行整理、分析,具体介绍了解决RC-IGBT器件回跳问题的五个主要技术分支:引导IGBT区法、阻断电子电流法、强化集电极短路电阻法、超结结构法、绝缘分离法,并展示了相应的典型器件结构、工作原理及其技术效果,为完全消除RC-IGBT的回跳现象以提升器件整体性能指明了技术发展方向。

为了解决无片外电容低压差线性稳压器(LDO)的瞬态响应性能较差的问题,采用跨导提高技术设计了一种高摆率的误差放大器。在误差放大器的基础上,通过电容将LDO的输出端耦合至电流镜构建瞬态增强电路,提升LDO的瞬态响应能力,且瞬态增强电路可以引入两个左半平面零点,改善环路的稳定性。同时,误差放大器采用动态偏置结构,进一步减小下冲和过冲电压,缩短稳定时间。电路基于TSMC0.18μmCMOS工艺设计。仿真结果表明,在片上负载电容为50pF,压差为200mV的条件下,LDO环路在100μA~100mA的负载电流下保持稳定。负载电流在0.5μs内在100μA和100mA之间跳变时,输出**下冲和过冲电压均小于100mV,稳定时间小于1μs。

多层陶瓷电容器(MLCC)端电极低温烧结技术仍是目前研究的重点与难点。为了改善MLCC低温烧结铜端电极的烧结形貌与质量,开发出适用于低温烧结的端电极铜浆的新型玻璃粉,探讨了玻璃粉的转变温度、含量、粒径以及玻璃粉与陶瓷基片的烧结润湿性与铜浆烧结特性之间的关系。此外,研究了铜粉形貌、粒径等对端电极烧结特性的影响。结果表明:当玻璃粉转变温度为577.6℃,铜浆中玻璃粉含量为质量分数10%(D50=2.0μm),类球形铜粉Cu-2和板状铜粉Cu-4的质量比为6∶4(D50=1.4μm)时,得到烧结质量**的MLCC铜端电极,其致密度高达99.87%。