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研究与试制

1200 V SiC MOSFET重复非钳位感性开关测试的退化机制研究

发布于2023-3-5

来源电子元件与材料, 2023, 42(3): 329-333. DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2023.1666

作者谈威, 鹿存莉, 季颖, 等.

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