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具有可控空穴抽取路径的低损耗4H-SiC双沟槽超结IGBT

发布于2024-9-5
来源电子元件与材料, 2024, 43(9): 1071-1080. DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2024.0091
作者吴栋, 姚登浪, 郭祥, 等.
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