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基于二维层状GaSe 纳米片忆阻器阻变特性研究

发布于2021-4-5
来源电子元件与材料, 2021, 40(4): 323-327. DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.1838
作者廖康宏, 康雨薇, 雷沛先, 等.
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