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具有自偏置MOS空穴抽取通路和阻塞结的IGBT

发布于2025-3-5

来源电子元件与材料,2025, 44(3): 259-264. DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2025.1424

作者曾荣周, 雷盛长, 吴振珲, 等.

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